Plateformes
- AFM
- Spectroscopies électroniques
- Raman
Quelques exemples en images
Mesure des propriétés électromécaniques des nanofils piezo à base de GaN (Coll. C2N)
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← Image MEB d’un ensemble de nanofils GaN intentionnellement dopés p (C2N)
↓ Images de topographie, de potentiel généré et de résistance, obtenues avec un Résiscope modifié en mode contact intermittent (coll. avec C2N, |
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Nano-composants IR et THz
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| Nano-bolomètre à électrons chauds : antenne planaire THz couplée à une nano-constriction en Y-Ba-Cu-O supraconducteur (salles blanches Minerve, Université Paris-Saclay). | Multiplexeurs de faisceaux THz fabriqués par technologie LIGA-X (Collab. : Thales-TRT-Synchrotron Soleil). |
Mémoires non volatiles et circuits bio-inspiré
| STT-MRAM géometrie of nanoring | Charge trapping device |
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Structure nanoring CoFeB(free)/Mgo/CoFeB (hard) Courbes de renversement d’aimantation par GMR R(V) et par STT montrant la résistance haute (AntiParallèle) et résistance basse (Parallèle) Modélisation micromagnétique des états AP et P Ref : Phys. Rev. Appl. 10, 054013 (2018) (IF: 4,2)
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Room temperature data retention characteristics. fluorographene trapping medium in MoS2 -based nonvolatile memory device", Journal of Applied Physics 127, 245106, (2020). |
| Re-RAM Au/LiCoO2/Si |
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| Alternance de haute résistance (en bleu) et basse résistance (en rouge) en fonction du nombre de cycles d’écriture/effaçage, d’une cellule Au/LixCoO2/Si dopé Ref : Small, 14, 1801038 (2018) |
Propriétés électroniques des matériaux 2D pour leur intégration dans l’électronique Beyond CMOS
| Caractérisation de composants 2D-FET couplés imagerie Kelvin Force Microscopy |
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| Exemple d’un transistor MOS2-FET |
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Nanofils pour le photovoltaïque
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| Nanocaractérisation électrique des dispositifs à nanofils (NFs) pour le PV par microscopie AFM. |
Caractérisation de cristaux III-V micrométriques ou sub micrométriques sur silicium
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| Image MEB d’un cristal de GaAs intégré directement sur silicium (coll. C2N). |
Matériaux 2D
| Graphene for thermoelectric sensors and generators | Imaging the defect distribution in 2D hexagonal boron nitride (h-BN) |
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| Au/Graphene/Si interface for spintronic applications | |
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Hétérostructures métal/Silicium/Electrolyte
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| (a) Modélisation de la courbure de bande de valence (VB) à l’interface nanoparticule-Pt / p-Si / Electrolyte (nanoparticule enterrée à 1 µm sous la surface) menant à une interprétation du transfert de charge qui a lieu lors de la gravure (schéma en (b)).Permet de comprendre les résultats expérimentaux en (c) de gravure du Si par MACE qui est délocalisée (forme conique). |
Nanocomposites fonctionnels
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| Revêtement composite à base de feuillets de graphène conducteur grâce à un réseau 3D de graphène agissant comme une barrière étanche à la corrosion. a) image MEB, b) cartographie topographique et électrique réalisée par AFM à pointe conductrice (Résiscope), coll. LICSEN-CEA. |
Plateforme : Microscopie AFM en champ proche
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Lien vers plateforme AFM |
5 AFM disponibles Type d'imagerie: (taille scan max. 160µm x 160µm) - Hauteur (modes contact & intermittent) - Electrique/Résiscope (modes contact & intermittent) - Mécanique (mode intermittent) - Electrostatique - Potentiel de surface (Single & dual pass) Contrôle environnemental possible basses pressions jusqu’à 10-3 mbar, gaz neutre, humidité contrôlée, température variable (jusqu'à 250°C). |
